氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷是先进精密陶瓷材料中的一种,因具有优良的导热性能和电绝缘性能而被广泛应用于电子工业。

 

氮化铝晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。作为一种耐高温材料,其单晶体导热率几乎是氧化铝的5倍,并且具有良好的耐热冲击性能,可以在2200℃的环境中使用。

 

氮化铝耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定。因其表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜, 利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。

氮化铝的化学式:

 

氮化铝的化学式为AlN,化学组成 AI 65.81%,N 34.19%。其粉体为白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。

氮化铝陶瓷导热性:

 

氮化铝聚晶体物料导热率为 70~210 W / (m.k),而单晶体更可高达 275 W / (m.k) 以上,是氧化铝的5倍。

氮化铝陶瓷基板:

 

热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

氮化铝的性质:

 

热导率高(>170W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;
热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;
各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;
机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;
可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。

散热器和散热片
激光电绝缘体
半导体加工设备的卡盘,夹紧环
电绝缘体
硅片处理
微电子设备和光电设备的基板和绝缘体

电子封装基板

氮化铝的用途:

 

传感器和检测器的芯片载体
小芯片
筒夹
激光热管理组件
熔融金属夹具
微波设备包装

氮化铝产品展示:

 

氮化铝生产厂家

 

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